半导体薄膜设备产业化基地（一期）项目环境影响报告书全本公示

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日期：2015/3/3 10:03:22 | 编辑：

半导体薄膜设备产业化基地（一期）项目环境影响报告书已编制完成，受建设单位委托，根据《建设项目环境影响评价政府信息公开指南（试行）》（环办[2013]103号），《关于加强建设项目环境影响评价文件审批信息公开的通知》（沈阳市环境保护局2014年12月4日）等相关要求，现予以全文公示。

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半导体薄膜设备产业化基地（一期）项目环境影响报告书

沈阳环境科学研究院沈阳市沈河区南塔街139 号 1
前言
等离子增强型化学气象沉积设备（简称：PECVD 设备）主要用于硅片覆膜以在硅
片表面上形成绝缘涂层，覆膜是集成电路项目清洗、光刻、离子扩散、蚀刻、薄膜、化
学机械研磨等诸多工序之一。等离子增强型化学气象沉积设是大规模集成电路制备过程
中四大关键设备之一（光刻设备、薄膜沉积设备、刻蚀设备、离子注入设备），其采用
等离子体增强化学气相沉积的方法为集成电路薄膜沉积提供专用设备，广泛应用于集成
电路、TSV、光波导、LED 等领域。集成电路制造产业被国家列为中长期发展规划
（2005-2020 年）中的16 个重大专项之一，位列第二，统称为02 专项。
沈阳拓荆科技有限公司半导体薄膜设备产业化基地（一期）项目位于沈阳市浑南风
能南路。总建筑面积约36350 平方米，主要建设内容有生产厂房，办公楼及附属配套设
施。达产年每年生产100 台等离子增强型化学气象沉积设备。总投资额为1.5 亿元。
根据2003 年9 月1 日实施的《中华人民共和国环境影响评价法》第三章第十六条
的规定，国家根据建设项目对环境的影响程度，对建设项目的环境影响评价实行分类管
理。并规定“可能造成重大环境影响的，应当编制环境影响报告书，对产生的环境影响
进行全面评价”。根据《建设项目环境影响评价分类管理名录》（国家环境保护部令第
2 号，2008 年10 月1 日起施行），本项目属于其中 “K.机械、电子”中的“11. 集
成电路生产，半导体器件生产”中的“前工序”生产，应当编制环境影响报告书。
受沈阳拓荆科技有限公司的委托，沈阳环境科学研究院承担了该项目的环境影响评
价工作。接受委托后，立即组织人员到工程建设所在地及其周围进行了实地调查与勘查，
详细了解和收集本项目的有关资料，按照《环境影响评价技术导则》及有关规范要求，
结合该项目的特点，编写本项目的环境影响报告书。

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